收藏本站
SFT1440
20
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C
18
RDS(on) -- Tc
18
16
16
14
12
10
8
6
4
ID=0.8A
14
12
10
8
6
4
2
2
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
3
2
1.0
7
5
| y fs | -- ID
° C
25
IT15877
VDS=10V
3
2
1.0
7
5
3
2
VGS=0V
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15878
5 °
° C
3
2
0.1
7
Tc
=
--2
C
75
0.1
7
5
3
2
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.01
0.001
2
3
5 7 0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
100
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15879
VDD=200V
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15880
f=1MHz
7
VGS=10V
3
5
3
2
100
7
5
Ciss
2
10
td (off)
tr
td(on)
3
2
10
7
5
C o ss
Crss
3
7
2
5
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
16
VDS=300V
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT15893
10
7
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ASO
IDP=6.0A (PW ≤ 10 μ s)
IT15894
era
1m
10
10
s
0m
n(
=2
μ s
0 μ
14
12
10
8
6
4
ID=1.5A
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
ID=1.5A
DC
op
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
t i o
Ta
s
m
5 ° C
)
10
s
10
s
2
3
2
Tc=25 ° C
Single pulse
1.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.01
2 3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
5 7 1000
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT15895
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15884
No. A1816-3/9
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SFT1443-H MOSFET N-CH 100V 9A TP
SFT1445-H MOSFET N-CH 100V 17A TP
SFT1450-H MOSFET N-CH 40V 21A TP
SG923-0012-3.3-C RF EVAL WI-FI MODULE
SGF23N60UFTU IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF
SGF5N150UFTU IGBT HI PERFORM 1500V 5A TO-3PF
SGH15N60RUFDTU IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P
SGH20N60RUFDTU IGBT SHORT CIRC 600V 20A TO-3P
相关代理商/技术参数
SFT1443 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1443-H 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1443-TL-H 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1445 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1445-H 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1445-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SFT1446 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1446-H 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube